Contents

СТОРІНКИ |  |

Слід зазначити, що необхідність застосування навантаження з високим опором має і позитивну властивість, що виявляетьсяя в зменшенні потужності, яка розсіюється в перемикачі на МДН- транзисторі.

Схемотехнічні рішення, використовувані при побудові ІС МДН, спрямовані на усунення розглянутих вище недоліків елементарного перемикача. Тому при побудові ІС схема перемикача з навантажувальним резистором не використовується. Широкого поширення дістала схема перемикача з навантажувальним МДН-транзистором, що забезпечує збільшення струму перезарядження ємності навантаження, а отже, і швидкодії перемикача. Це додатково дає змогу спростити технологію виготовлення ІС, через те що зі схеми вилучають всі пасивні елементи і її будують тільки на однотипних елементах — МДН- транзисторах.

Залежно від типу транзистора розрізняють ІС n- МОН і р- МОН- типів . Розглянемо побудову БЛЕ з використанням n-МОНтранзисторів.

На рис. 4.14, а, б зображено принципові електричні схеми БЛЕ з двома входами, що реалізують операції 2І-НЕ та 2АБО-НЕ.

Обидві схеми містять по три транзистори, з яких VT1 виконує роль активного навантаження, а VT2 і VT3 є власне транзисторними перемикачами, що реалізують логічні операції. На рис. 4.14. а транзистори VT2 і VT3 увімкнені послідовно. Тому для появи на виході схеми низької напруги на затвори обох транзисторів слід подати високу напругу, достатню для проходження струму активного навантаження. На рис. 4.14. б , транзистори VT2 і VT3 увімкнені паралельно. При подаванні на затвор кожного з них високої напруги на виході буде сформована напруга низького рівня.

Збільшення числа початкових змінних елемента потребує збільшення кількості послідовно або паралельно ввімкнених транзисторів. Тому, використовуючи наведений принцип з мінімальними схемотехнічними витратами, можна легко побудувати логічний елемент із потрібним числом входів.