Contents

СТОРІНКИ |  |

недостатньо для передавання вихідного сигналу всім споживачам. Схемотехнічно цей елемент відрізняється від стандартного виконанням вихідного каскаду (рис. 4.8 ).

Для збільшення потужності сигналу логічна «1» у вихідному каскаді використана схема складеного транзистора VT4. Коефіцієнт розгалуження на виході для таких елементів у три рази перевищує значення Кроз для стандартного БЛЕ.

Елемент І-НЕ з третім (високоімпедансним) станом високого імпедансу призначений для спільної роботи кількох елементів на загальну шину. Принципову електричну схему елемента І-НЕ з третім (високоімпедансним) станом на виході наведено на рис. 4.9 .

В основному така схема повторює схему стандартного елемента І-НЕ. Для організації третього (високоімпедансного) вихідного стану багатоемітерний транзистор VT1 забезпечується п-м емітером, що через допоміжний транзисторний перемикач VT6 з'єднаний із загальною шиною.

Для керування транзисторним перемикачем використовують схему, що повторює вхідний каскад стандартного елемента ТТЛ. Вона включає вхідний транзистор VT7 і підсилювач на транзисторі VT8, увімкнений за схемою емітерного повторювача. Емітер транзистора VT7 є входом керування третім станом елемента (вхід z). Його база через резистор R8 з'єднана із шиною живлення, а колектор підключений до входу підсилювача на транзисторі VT8. Сигнал, що знімається з резистора R6, керує станом транзисторного перемикача VT6. Додатково колектор VT6 через діод VDn+1 приєднаний до бази транзистора VT4 вихідного підсилювача потужності.

Розглянемороботу БЛЕ при різних значеннях керуючого сигналу на вході z. Якщо z=1, то перехід емітера транзистора VT7 зміщений у зворотному, а колекторний — у прямому напрямку. Струм від шини живлення через резистор R8 проходить у базу транзистора VT8, насичуючи його. Одночасно насичується і транзисторний перемикач VT6. При цьому один з емітерів транзистора VT1 підключається до загальної шини, що