Тестування

> << Стартова сторінка розділу

> ## ТЕСТ

> 1. |  | Електронні схеми, що являють собою деяку сукупність певним чином сполучених компонентів, та виконують одну або декілька найпростіших логічних чи допоміжних операцій - це
> |  | інтегральні елементи пам’яті та тригери |
> | генератори та перетворювачі
> | обидва варіанти вірні

> 2. |  | За способом кодування двійкових змінних елементи цифрових пристроїв бувають:
> |  | імпульсні, динамічні, імпульсно-потенційні. |
> | аналого-цифрові та цифро-аналогові
> | паралельні, послідовні та паралельно-послідовні

> 3. |  | Сигнал з тривалістю не менше тривалості такту - це:
> |  | тактовий |
> | потенційний
> | фазовий

> 4. |  | Вигляд амплітудно-передавальної характеристики залежить від:
> |  | змін напруги живлення, температури навколишнього середовища |
> | параметрів схем та навантаження
> | вірні обидва варіанти

> 5. |  | В якій зоні, виходячи з рисунку, робота в статичному режимі забороняється?

> від до

> | від до
> | від до

> 6. |  | Для отримання ідеальної передавальної характеристики, необхідно, щоб коеффіцієнти і набллижалися до:
> |  | 0 |
> | 0,5
> | 1

> 7. |  | Для ЛЕ, що споживають значну потужність при перемиканні:
> |  | де i = l…n |

> 8. |  | Затримка поширення сигналу при переході вихідної напруги від «0» до «1» - це:
> |  | інтервал часу між вхідним і вихідним сигналами при переході напруги на виході логічного елемента від напруги «1» до напруги «0», обмірюваної на рівні 0,1 логічного перепаду вхідного сигналу і на рівні 0,9 вихідного сигналу |
> | інтервал часу, протягом якого напруга на виході логічного елемента переходить від рівня «0» до «1», обмірюваних при значеннях 0,1 і 0,9 логічного перепаду
> | інтервал часу між вхідним і вихідним сигналами ЛЕ, обмірюваний на рівні 0,5 логічного перепаду вхідного і вихідного сигналів

> 9. |  | Навантажувальну здатнісь ЛЕ прийнято виражати:
> |  | коефіцієнтом об'єднання по виходу |
> | коефіцієнтом розгалуження по входу
> | коефіцієнтом об'єднання по входу

> 10. |  | На рисунку зображено:
> |  | Принципова електрична схема розширника АБО серії ТТЛ |
> | Принципова електрична схема струмового ключа БЛЕ
> | Принципова електрична схема ЛЕ І-НІ ТТЛ

> 11. |  | Додаткові діоди VDo—VDn-1 призначені для:
> |  | збільшення швидкодії елемента та наближення його АПХ до прямокутної |
> | захищення елементу від появи на його вході неприпустимих напруг зворотної полярності
> | термокомпенсації напуги джерела

> 12. |  | Паралельне включення вихідних виводів допускають
> |  | елементи ТТЛ із відкритим колектором |
> | елементи І-НІ з третім (високоімпедансним) станом
> | стандартні елементи І-НІ

> 13. |  | Зі збільшенням частоти переключення:
> |  | середнє значення струму, споживаного елементом, росте |
> | знижується сумарна споживана потужність
> | всі параметри залишаються сталими

> 14. |  | Основою БЛЕ емітерно-зв’язаної логіки є:
> |  | система захисту від статичної електрики |
> | транзистор з діодом Шоткі
> | токовий ключ, виконаний на двох транзисторах

> 15. |  | Велика швидкодія БЛЕ ЕЗЛ в першу чергу пояснюється:
> |  | відсутністю резисторів, що значно спрощує технологію |
> | тим, що транзистори принципово не заходять в область насичення
> | великим логічним перепадом напруг між значеннями лог. "0" та лог. "1"

> 16. |  | У БЛЕ ЕЗЛ властивість емітерних повторювачів підтримувати високий рівень напруги, якщо хоча б один з паралельно зєднаних транзисторів включений, дозволяє:
> |  | багатоярусне включення перемикачів струму |
> | реалізувати більш складні логічні функції
> | спільне включення виходів декількох елементів на загальне навантаження

> 17. |  | До особливостей БЛЕ на МДН-транзисторах належить:
> |  | залежність залишкової напруги на включеному МДН-транзисторі від керуючої напруги |
> | висока швидкодія елементів
> | МДН-транзистор має кращі ключові властивості в порівнянні з біполярним транзистором

> 18. |  | Схема ключа з навантажувальним МДП-транзистором будується на:
> |  | пасивних елементах та МДН-транзисторах |
> | всіх компонентах
> | тільки на однотипних МДН-транзисторах

> 19. |  | Просторове сполучення в кристалі напівпровідника областей, що функціонально належать різним транзисторам реалізоване в:
> |  | БЛЕ на МДН-транзисторах |
> | БЛЕ інтегрально-інжекційної логіки
> | БЛЕ ТТЛШ серії 555

> 20. |  | У БЛЕ інтегрально-інжеційної логіки можливість зміни швидкодії досягається завдяки:
> |  | можливості паралельного включення декількох виходів |
> | можливості варіювати струм інжектора
> | завдяки обом властивостям’

> Тут буде виведений результат

> Стартова сторінка розділу >>