Розділ 9

СТОРІНКИ |  |

9.1. Мікросхеми статичних ОЗП

9.2. Мікросхеми динамічних ПЗП

Лабораторний практикум №1

Лабораторний практикум №2

Висновки

Тестування

9.2. Мікросхеми динамічних ОЗП

У мікросхемах пам'яті динамічного типу функції ЕП виконує електричний конденсатор, утворений усередині МДН-структури. Інформація надходить у вигляді заряду: наявність заряду на конденсаторі відповідає логічному 0, відсутність-логічній 1. Оскільки час збереження конденсатором заряду обмежений, передбачають періодичне відновлення (регенерацію) записаної інформації. У цьому полягає одна з відмінних рис динамічних ОЗП. Крім того, для них потрібна синхронізація, що забезпечує необхідну послідовність вмикань і вимикань функціональних вузлів.

Для виготовлення мікросхем динамічних ОЗП в основному застосовують n-МДН- технологію, що дає змогу підвищувати швидкодію і рівень інтеграції мікросхем, забезпечувати малі струми витоку і за цей рахунок збільшувати час збереження заряду на запам'ятовувальному конденсаторі.

Розглянемо типовий варіант реалізації динамічного ОЗП на прикладі мікросхеми К565РУЗінформаційною ємністю 16К×1 біт. До її структурної схеми (рис. 9.7 ) належатьвиконані в одному силіцієвому кристалі матриця накопичувача, що містить 16384 елементів пам'яті, розташованих на перетинаннях 128 рядків і 128 стовпців, 128 підсилювачів зчитування і регенерації, дешифратори рядків і стовпців, пристрій керування, пристрій вводу-виводу та мультиплексний регістр адреси.

Матриця накопичувача розділена на дві частини по 64×64ЕП у кожній. Між ними розміщені підсилювачі, так що кожен стовпець складається з двох секцій, підключених до різних плечей підсилювача (рис.9.8 ).

Елемент пам'яті побудований за схемою з одним транзистором і вміщуєконденсатор Сij і транзистор VTij. Транзистор виконує функції перемикача: при сигналі на адресній шині рядка хi=l він відкривається і з'єднуєконденсатор Cij, з j-розрядною шиною.