Contents

СТОРІНКИ |  |

4.1. Класифікація елементів і їх порівняльна характеристика

4.2. Загальні характеристики елементів цифрових пристроїв

4.3. Базовий логічний елемент транзисторно - транзисторної логіки

4.3.1.Склад, схемотехніка і принцип дії базового логічного елемента (БЛЕ)

4.3.2. Різновиди схемотехніки елементів ТТЛ

4.3.3 Способи підвищення швидкодії

4.4. БЛЕ емітерно - зв'язаної логіки

4.4.1 Особливості схемотехніки

4.4.2. Принцип дії та функціональні можливості БЛЕ ЕЗЛ

4.4.3 Способи підвищення швидкодії

4.5 БЛЕ на МДН- транзисторах

4.5.1 Особливості використання МДН- транзистора

4.5.2 Схемотехніка БЛЕ КМОН - типу

4.6. БЛЕ інтегрально - інжекційної логіки

Лабораторний практикум

Висновки

Тестування

4.3.3 Способи підвищення швидкодії

Швидкодія БЛЕ серій ІС ТТЛ в основному визначається інерційними властивостями застосовуваних біполярних транзисторів і навантаження. Інерційні властивості, зумовлені параметрами навантаження, залежать від конкретної схеми і конструктивного виконання логічного пристрою. Мала швидкодія пов’язана з власне частотними властивостями елементів БЛЕ. Основними причинами недостатньої швидкодії транзисторних перемикачів на біполярних транзисторах є перезарядження його колекторної ємності і час розсмоктування. Ці параметри визначаються як технологією виготовлення транзисторів, так і режимами їхроботи в перемикальній схемі. Зокрема, зменшення тривалості перемикання, спричинене перезарядженням колекторної ємності при її незмінному значенні, можна досягти зменшенням опору колекторного навантаження. Дійсно, сумарна стала часу, що зумовлює швидкість змінювання колекторної напруги,

.

Зменшення Rk зменшує tпер, а, отже, і час змінювання колекторних струму і напруги транзистора.

Це технічне рішення, підвищуючи швидкодію перемикача, приводить до збільшення струму колектора, що проходить через насичений транзистор, і до збільшення потужності, яка розсіюється в БЛЕ.

Отже, підвищення швидкодії БЛЕ ТТЛ за рахунок зменшення тривалості перезарядження ємності Скб пов'язане зі збільшенням потужності, яка розсіюється в елементі.

Це технічне рішення застосовують, наприклад, у ІС ТТЛ серії 531 підвищеної швидкодії.

Намагання зменшити час розсмоктування, що при пасивному вимиканні становить значну частину часу вимкнення біполярного транзистора, привело до застосування в БЛЕ діодів і транзисторів Шотткі. Нагадаємо, що найрадикальнішим методом зменшення інерційності