Contents

СТОРІНКИ |  |

перемикача на біполярному транзисторі, спричинене розсмоктуванням неосновних носіїв з базової області, є використання ненасиченого режиму його роботи. Останнє найпростіше досягається шунтуванням колекторного переходу діодом Шотткі.

Діод Шотткі має істотно меншу граничну напругу відкривання, ніж р-n- перехід транзистора. Тому під час дії вхідного імпульсу діод Шотткі відкривається раніше, ніж колекторний перехід транзистора, запобігаючи накопиченню надлишкового заряду в його базовій області. Накопичення заряду в самому діоді Шотткі не відбувається, тому що струм цього діода зумовлений перенесенням основних носіїв заряду. Ввімкнення паралельно колекторному переходу транзистора діода Шотткі при подаванні вхідної напруги автоматично фіксує напругу колектор — база на рівні, близькому до нульового. Транзистор при цьому працює поблизу границі режиму насичення.

Робота транзистора з діодом Шотткі в активному режимі призводить до збільшення напруги на його переходах, що трохи знижує споживану елементом потужність і змінює асимптотичні рівні логічних «0» і «1».

Це схемне рішення реалізоване в різновиді БЛЕ ТТЛ – ТТЛШ.

На рис. 4.10 приведено принципову електричну схему БЛЕ ТТЛЩ серії 555. Від схеми стандартного БЛЕ вона відрізняється застосуванням у вихідному двотактному підсилювачі потужності складеного транзистора, що сприяє підвищенню швидкодії, і виконанням вхідного каскаду, що реалізує логічну операцію І. Операцію І у цьому елементі виконують з використанням перемикачів на діодах VD1, VD2,...,VD2n-1, VD2n.

При подаванні на усі вхідні виводи елемента напруги високого рівня парні діоди VD2,...,VD2n вхідних діодних перемикачів зміщуються в зворотному напрямку. Тому струм резистора R1 насичує транзистори VT1 і VT5, формуючи на виході елемента сигнал низького рівня.

Якщо хоча б на один вхід схеми подано низьку напругу, відповідний діод зміщується у прямому напрямку. Струм резистора R1 замикається на