Contents

СТОРІНКИ |  |

Взявши UБЕVТ2=0,7 В або визначивши цю величину з вхідної характеристики, що наведена в довіднику (вважаємо всі транзистори кремнієвими), за виразом (8.18) одержимо R5 47 Ом. З огляду нарозкид номіналів Uст і UБЕVТ2, резистор R5 доцільно виконати у вигляді послідовно ввімкнених постійного і змінного резисторів, виставляючи останнім задане значення струму IK2.

Розрахунок номіналів резисторів R1 і R2 виконують так само, як для схеми рис. 8.7 , а.

Оцінимо можливі значення опорів навантаження RвхВП. Принципово мінімальне значення може дорівнювати нулю, якщо не накладаються обмеження на допустиму потужність розсіювання транзистора VТ2. Оцінимо цю потужність у схемі, зневажаючи потужністю, що виділяється на емітерному переході транзистора VТ2. При RвхВП= 0 маємо

UБКТ2 = UДЖ max - UСТ 24 В

РТ2 = UБКТ2 IК2 = 2,4 Вт

Нехай за технічними умовами РТ2доп = 1 Вт. Ця потужність виділяється на транзисторі при UБКТ2 = 10 В ; отже, на навантаженні напруга має бути не менш 14 В, тобто мінімальний опір RвхВП становить 140 Ом. Очевидно, що у разі збільшення опору навантаження напруга на колекторному переході зменшуватиметься і за певого опору навантаження транзистор увійде в насичення. Враховуючи, що транзистор VТ2 як генератор струму має працювати в активному режимі і при максимальній величині опору навантаження, візьмемо за границю насичення транзистора VТ2 умову UБ=UK тобто теоретичну границю насичення.