Contents

СТОРІНКИ |  |

Звертання до мікросхеми для зчитування відбувається аналогічно, але при значенні сигналу W/R=0.

У більшості мікросхем пам'яті ПВВ містить вихідний перемикальний підсилювач-формівник, здатний приймати три стани: два функціональних, відповідних 0 або 1, і один високоомний (третій) стан. У третьому стані вихід практично відключений від приймача інформації, наприклад інформаційної шини. Приклад такого елемента приведений на рис. 9.3, а Елемент являє собою інвертор на транзисторах VT1, VT2, доповнений двома перемикальними транзисторами VT3, VT4, що забезпечують реалізацію третього стану виходу. Станом ключів керує сигнал V: при V=0 обидва ключі закриті і вихід знаходиться у високоомному стані, при V=l ключі відкриті і схема виконує свої функції інвертора, передаючи на вихід DO мікросхеми інформацію, яка зчитана з вибраного ЕП. Сигнал V формує внутрішня схема, додаючи йому значення, зумовленого сигналами CS і W/R: якщо розглянутий вихід реалізований у мікросхемі, то . За наявності ще одного стробувального виходу сигналу =0, як у мікросхеми КР537РУ8, умова керування виходомзапишеться у вигляді:

, або .

Наявність у мікросхеми виходу на три стани дає змогу з'єднувати інформаційні вхід і вихід для підключення їх до єдиної інформаційної шини.

Мікросхемина МДН- транзисторах будь-якого типу чутливі до впливу статичної електрики через високий вхідний опір. Навіть короткочасне підвищення вхідної напруги з неприпустимо високим рівнем може викликати електричний пробій тонкого шару підзатворного діелектрика. Для захисту від впливу перенапруги усі входи мікросхем захищають діодно-резистивними колами, вбудованими усередину кристала (див. рис. 9.3,б ). Захисні кола побудовані за схемою послідовногоз'єднання двох діодівVD1,VD2 і резистора R обмеження струму. Від впливу високого позитивного