Contents

СТОРІНКИ |  |

βmin=20, тоді, взявши коефіцієнт насичення транзистора VТ2 таким, що дорівнює 1,5, знайдемо значення струму бази:

I Бнас2= I Кнас2Кнас2/βmin 2,5 мА. (8.7)

Значення струму IR3 через резистор R3, який шунтує перехід база — емітер транзистора VТ2 та утримує цей транзистор у закритому стані (коли на виході керуючого елемента ТТЛ- типу рівень «0»), вибирають в межах 5...20% від струму бази насиченого транзистора VТ2. Нехай IR3= 0,1·IБнас2=0,25 мА.

Оскільки транзистор VТ2 насичений, то між виводами бази й емітера діє напруга UБE нас2. Іноді цю величину вказують у довідниках для визначеного режиму, якщо ні, то можна орієнтовно взяти величину 0,7...1,0 В. Прийнявши UБE нас2=0,75 В, знайдемо опір:

R3= UБE нас2 / IR3=UБE нас2 /(0,1·IБнас2) = 3 кОм. (8.8)

Очевидно, що IКнас1 = IБнас2+IR3=2,75 мА. Оскільки транзистор VТ1 насичений, то можна визначити опір R4 зі співвідношення

R4= (Uж max - UБЕнас2 - UКЕнас1) / IКнас1 10 кОм . (8.9)

Значення R4, округляють до найближчого меншого стандартного номіналу. Взявши для транзистора VТ1 βmin=20 і Кнас=1.5, визначимо струм бази насиченого транзистора VТ1:

I Бнас1= I Кнас1Кнас / βmin 0,2 мА. (8.10)

Взявши IR2= 0,1·IБнас1=0,02 мА, а UБЕнас1 0,7 В, знайдемо опір:

R2= UБE нас1 / IR2=UБE нас1 /(0,1·IБнас1) = 35 кОм. (8.11)

Оскільки значення R2 досить велике, необхідно перевірити умову надійного замикання транзистора VT1 при вимкненому керуючому елементі (за припущенням, що зв'язок здійснюється через рознімне з'єднання).