Contents

СТОРІНКИ |  |

.

Виконання вихідного каскаду елемента за двотактною схемою дає змогу одночасно вирішити два завдання:

1. Підвищити швидкодію елемента. Навантаження БЛЕ зазвичай має ємнісний характер, і застосування двотактного вихідного каскаду має змогу збільшити струм заряду ємності навантаження.

2. Знизити споживання. У сталому режимі логічного «0» через вихідний каскад проходить тільки струм навантаження.

У вхідному колі багатоемітерного транзистора VТ1 увімкнені додаткові діоди VDo—VDn-1, що захищають елементи від появи на його вході недопустимих напруг зворотної полярності.

Нелінійне коло корекції R3, R4 і VT3 дає змогу збільшити швидкодію елемента і наблизити його АПХ до прямокутної. Останнє поліпшує властивості елемента. Розглянемо його роботу. Принцип дії цього кола заснований на залежності його опору від стану транзистора VT5. Якщо цей транзистор замкнений, то транзистор нелінійного кола корекції VT3 також замкнений. Сумарний опір кола шунтування переходу емітеру транзистора VT5, в основному визначається опором резистора R3, яке достатньо великий. Тому на початковому етапі формування на виході елемента напруги логічного «0» весь емітерний струм транзистора VT2 проходить у базу транзистора VT5, що форсує його ввімкнення. Після ввімкнення VT5 насичується і VT3, шунтуючі емітерний перехід транзистора VT5 малим опором резистора R4. Це, по-перше, зменшує ступінь насичення транзистора VT5 і, по-друге, при наступному вимиканні збільшує струм, що вилучає з базової області цього транзистора надлишковий заряд неосновних носіїв.

Обидва цих фактора сприяють зниженню часурозсмоктування носіїв транзистора VT5, що підвищує швидкодію елемента.

У момент перемикання БЛЕ в його вихідному колі проходить так званий «наскрізний струм», що зумовлено тим, що протягом інтервалу розсмоктування носіїв транзистора, який замикається, обидва транзистори вихідного двотактного