Contents

СТОРІНКИ |  |

Ця умова записується у вигляді

R2IКБ0<UБЕ0 (8.12)

де IКБ0— зворотний тепловий струм колекторного переходу при максимальній температурі; UБЕ0 — напруга на переході база-емітер, за якого транзистор починає відкриватися, також при максимальній температурі.

Зазначимо, що числове значення UБЕ0 залежить від IКнас і відповідає такому значенню UБЕ, при якому IК = 0,01· IKнас. Нехай IКБО=1мкА при 20°С, тоді IКБО мкА при Т=50°С і R2IКБО=0,28 В. При такому значенні напруги на переході база-емітер транзистор VТ1 надійно закритий, однак у цій схемі й у схемах, аналогічних їй, доцільно брати опір R2 10 кОм, якщо дозволяє керуючий елемент.

Зупинимося на значенні R2 10кОм. Уточнивши значення IR2=UБEнас1 / R2= 0,07 мА, одержимо IR1=IБнас1 + IR2= 0,27 мА. Замінивши вихідне коло закритого елемента ТТЛ- типу еквівалентною ЕРС ЕТТЛ = 3,6 В із вихідним опором RТТЛ = 150 Ом, обчислимо

R1= (EТТЛ - UБЕнас1) / IR1 - RТТЛ 10 кОм (8.13)

Напруга на виході керуючого елемента EТТЛ - IR1 · RТТЛ 3,55 В. Це говорить про те, що керуючий ТТЛ- елемент може працюватине тільки на перетворювач рівня, а й на інші елементи ТТЛ- типу.

Розглянемо обмеження на величину R2, пов'язану з керуючим елементом. При R2=100 Ом забезпечується надійний закритий стан транзистора VT1 [див. (8.12)], однак струм IR2 зростає до 7 мА, а струм IR1 — до 7,2 мА. Щоб забезпечити насичений режим транзистора VT1, опір R1 повинний дорівнювати 390 Ом. Напруга на виході керуючого елемента