Contents

СТОРІНКИ |  |

10.1. Мікросхеми маскових ПЗП

10.2. Мікросхеми ППЗП

10.3. Мікросхеми РПЗП

Лабораторний практикум

Висновки

Тестування

10.1 Мікросхеми маскових ПЗП

Мікросхеми ПЗП по способу програмування, тобто занесення в них інформації, підрозділяють на три групи: ПЗП, які однократно програмує виготовлювач за способом замовленого фотошаблону (маски), маскові ПЗП (ПЗПМ, ROM); ПЗП, які однократно програмує користувач за способом перепалювання плавких перемичок на кристалі (ППЗП, PROM); ПЗП, які багаторазово програмує користувач, репрограмувальні ПЗП (РПЗП, EPROM).

Загальною властивістю всіх мікросхем ПЗП є їхня багаторозрядна (словникова) організація, режим зчитування як основний режим роботи й енергозалежність. Разом з тим у них є й істотні розходження в способі програмування, режимах зчитування, у звертанні до них при застосуванні. Тому доцільно розглянути кожну групу мікросхем ПЗП окремо.

Мікросхеми ПЗПМ виготовляють за біполярною ТТЛ, ТTЛШ- технологіями, n-канальною, p-канальною і КМДН - технологіями. Принцип побудови в більшості мікросхем групи ПЗПМ однаковий і може бутипредставлений структурою мікросхем К155РЕ21—К155РЕ24 (рис. 10.1 ). Основнимиелементами структурної схеми є: матриця елементів пам'яті, дешифратори рядків DCX і стовпців DCY, селектори (перемикачі вибору стовпців), адресний формовник, підсилювачі зчитування. Матриця складається з масиву ЕП, кожний з яких розміщений на перетинанні рядка і стовпця. Елемент пам'яті ПЗПМ є резистивною або напівпровідниковою (діодною, транзисторною) перемичкою між рядком і стовпцем. Інформацію в матрицю заносять у процесі виготовлення мікросхеми і здійснюють цю операцію в основному двома різними технологічними способами.