Contents

СТОРІНКИ |  |

Логічному «0» відповідає стан транзистора без заряду електронів у діелектрику. Щоб забезпечити цей стан, на затвор подають імпульс напруги негативної полярності з амплітудою 30...40 В. При цьому електрони витісняються в підкладку. За відсутності заряду електронів під затвором передатна характеристика зміщається в область високих граничних напруг. Режим витискання заряду з діелектрику під затвором називають режимом стирання.

Режим стирання і програмування можна здійснити за допомогою напруги однієї полярності: негативної для р-МНОН, позитивної для п-МНОН структур. Ця можливість заснована на використанні явища лавинної інжекції електронів під затвор, що відбувається, якщо до джерела і стоку прикласти імпульс негативної напруги 30...40 В, а затвор і підкладку з'єднати з корпусом. У результаті електричного пробою переходів джерело-підкладка і стік-підкладка відбувається лавинне розмноження електронів і інжекція деяких з них, які володіють достатньою кінетичною енергією, на границю між шарами діелектриків. Для стирання необхідно подати імпульс негативної напруги на затвор. У режимі зчитування на затвор подають напругу Uзч, значення якої лежить між двома граничними рівнями. Якщо в ЕП записана «1», транзистор відкриється, якщо «0» — залишиться в закритому стані. У залежності від цього, як видно з рис. 10.6, г , у розрядній шині або буде протікати струм на вихід, або ні. Підсилювач зчитування трансформує стан шини в рівень напруги «1» або «0» на виході мікросхеми.

Для поліпшенняхарактеристик РПЗП широко застосовують технологію виготовлення ЕП на n-МНОН транзисторах. Такі ЕП улаштовані аналогічно розглянутим, але мають провідність підкладки р-типа, а джерело і стік n-типа. Мікросхеми з ЕП на n-МНОН транзисторах мають вищу швидкодію, знижену напругу програмування і працюють від одного джерела живлення.