Contents

СТОРІНКИ |  |

4.1. Класифікація елементів і їх порівняльна характеристика

4.2. Загальні характеристики елементів цифрових пристроїв

4.3. Базовий логічний елемент транзисторно - транзисторної логіки

4.3.1.Склад, схемотехніка і принцип дії базового логічного елемента (БЛЕ)

4.3.2. Різновиди схемотехніки елементів ТТЛ

4.3.3 Способи підвищення швидкодії

4.4. БЛЕ емітерно - зв'язаної логіки

4.4.1 Особливості схемотехніки

4.4.2. Принцип дії та функціональні можливості БЛЕ ЕЗЛ

4.4.3 Способи підвищення швидкодії

4.5 БЛЕ на МДН- транзисторах

4.5.1 Особливості використання МДН- транзистора

4.5.2 Схемотехніка БЛЕ КМОН - типу

4.6. БЛЕ інтегрально - інжекційної логіки

Лабораторний практикум

Висновки

Тестування

4.3. Базовий логічний елемент транзисторно - транзисторної логіки

4.3.1.Склад, схемотехніка і принцип дії базового логічного елемента (БЛЕ)

Цей вид схемотехніки має, мабуть, найбільше число різновидів, тому що тривалість його використання дала змогу виявити багато з властивих йому обмежень та способи їх подолання. Більшість ІС, які входять до складу серій транзисторно-транзисторної логіки (ТТЛ), виконано на основі комбінації двох базових схем: елемента І-НЕ (штрих Шеффера) і розширника за АБО .

Елемент І-НЕ (рис. 4.4 ) можна зобразити послідовним з'єднанням трьох каскадів:

вхідного багатоемітерного транзистора VT1 з резистором R1 і діодами VDo—VDn-i, що реалізують логічну операцію І;

роздільника фаз на транзисторі VT2, резисторі R2 і кола нелінійної корекції R3, R4 та VT3;

двотактного вихідного підсилювача на транзисторах VT4 і VT5 , резисторі R5 та діоді VDn.

Розширник за АБО (рис. 4.5 )фактично повторює перші два каскади елемента І-НЕ і містить вхідний багатоемітерний транзистор VT1 з резистором R1 і транзистор VT2 роздільника фаз.

Об'єднання елементів І-НЕ і розширника за АБО шляхом з'єднання точок а і б дає змогу одержати ЛЕ, що реалізує послідовність операцій І-АБО-НЕ.

Розглянемо роботу елемента І-НЕ (рис. 4.4 ). Припустімо, що хоча б один вхід елемента Хо,..., Хп-1 безпосередньо ввімкнений до спільної шини, тобто на нього подана напруга логічного «0». У цьому випадку багатоемітерний транзистор VT1 виявляється насиченим струмом, що проходить від джерела живлення через резистор R1. Напруга на його