Contents

СТОРІНКИ |  |

загальну шину, минаючи переходи емітерів транзисторів VT1 і VT5. Останні замикаються. При цьому струм резистора R2 насичує складений транзистор VT4’, VT4, формуючи на виході напругу високого рівня.

Завдяки такій побудові вхідні виводи елемента можна безпосередньо підключати до шини джерела живлення, що не рекомендовано для стандартних елементів ТТЛ.

Слід зазначити, що підвищення швидкодії, досягнуте застосуванням у схемі БЛЕ діодів і транзисторів Шотткі, дало змогу розробити серію ІС ТТЛ зі зменшеним споживанням при швидкодії, порівнянної зі стандартними елементами. Останнє важливо з погляду підвищення функціональних можливостей ІС.

Потужність, потрібна для роботи схем ТТЛШ зі зменшеним споживанням, приблизно в 5 разів менша, ніж у стандартній схемі ТТЛ. Якщо допускає технологія, у тому самому корпусі можна розмістити в 5 разів більше напівпровідникових елементів та значно підвищити складність розробленої ІС і коло розв'язуваних з її допомогою задач.

Усі ІС ТТЛ можна поділити на такі групи: стандартні; швидкодійні з діодами Шотткі; малопотужні з діодами Шотткі.

Елементи всіх цих серій практично виконані за єдиною схемою. Основне розходження цих серій полягає в їхній швидкодії і споживаній потужності. Типові параметри БЛЕ різних серій ТТЛ наведено в табл. 4.1.

Таблиця 4.1. Параметри БЛЕ серій ТТЛ

Серія ІС | tзр порівн | Pсп, мвт | U1 вих, В | U0 вих, В | I1 вих, мА | I0 вих, мА
К155 | 10 | 10 | 2.4 | 0.4 | -0,4 | 16
К531 | 3 | 20 | 2,7 | 0,5 | -1,0 | 20
К555 | 10 | 2.0 | 2,7 | 0.5 | -0,4 | 8,1