Contents

СТОРІНКИ |  |

4.1. Класифікація елементів і їх порівняльна характеристика

4.2. Загальні характеристики елементів цифрових пристроїв

4.3. Базовий логічний елемент транзисторно - транзисторної логіки

4.3.1.Склад, схемотехніка і принцип дії базового логічного елемента (БЛЕ)

4.3.2. Різновиди схемотехніки елементів ТТЛ

4.3.3 Способи підвищення швидкодії

4.4. БЛЕ емітерно - зв'язаної логіки

4.4.1 Особливості схемотехніки

4.4.2. Принцип дії та функціональні можливості БЛЕ ЕЗЛ

4.4.3 Способи підвищення швидкодії

4.5 БЛЕ на МДН- транзисторах

4.5.1 Особливості використання МДН- транзистора

4.5.2 Схемотехніка БЛЕ КМОН - типу

4.6. БЛЕ інтегрально - інжекційної логіки

Лабораторний практикум

Висновки

Тестування

4.4.2 Принцип дії та функціональні можливості БЛЕ ЕЗЛ

Припустімо, що на всі входи схеми (рис. 4.12 ) x0, …, xn-1 подано напругу, близьку до –Uж. Тоді транзистори VT1—VTn будуть замкнені. Весь струм резистора Rn+2 проходить через транзистор VTn+1, до виводу бази якого прикладено напругу Uоп. Цей транзистор підтримується в активному режимі роботи за рахунок дії глибокого послідовного негативного зворотного зв'язку за струмом. Якщо не враховувати зворотні струми колекторних переходів транзисторів VT1—VTn, через резистор Rn проходить тільки базовий струм транзистора VTn+3 вихідного емітерного повторювача. Отже, напруга на виході близька до нульової.

Чисельно напруга Uу2 приблизно дорівнює -0,9 В.

Через резистор Rn+1 крім базового струму транзистора VTn+4 проходить струм IК VTn+1, який приблизно дорівнює IE. Ці струми створюють на резисторі Rn+1 спад напруги:

Ця напруга перетворюється вихідним емітерним повторювачем на транзисторі VTn+4 на вихідну напругу Uу1:

Чисельно напруга Uy1 приблизно дорівнює -1,7В.

Якщо хоча бна один із входів схеми Х0,..., Хn-1 подано напругу, що перевищує за рівнем Uon (–1,3В), то відповідний транзистор VT перейде в активний режим роботи. Його струм дорівнюватиме струму IЕ , що змінить рівні вихідної напруги: