Contents

СТОРІНКИ |  |

Варіант ЕП на структурі ЛІЗМОН з подвійним затвором (рис. 10.6, в ) є n-МОН транзистор, у якого в однорідному підзатворному діелектрику SiО2 сформована ізольована провідна область з металу або полікристалічного кремнію. Цей затвор називають плаваючим.

У режимі програмування на керуючий затвор, джерело і стік подають імпульс напруги 21...25 В позитивної полярності. У зворотно зміщених р-п переходах виникає процес лавинного розмноження носіїв заряду і інжекція частини електронів в ПЗ. У результаті накопичення на ПЗ негативного заряду передатна характеристика транзистора зміщається в область високої граничної напруги, що відповідає запису «0».

Стирання записаної інформації, тобто витиснення заряду з ПЗ, у структурах ЛІЗМОП здійснюють двома способами: у РПЗП-ЕС - електричними сигналами, у РПЗП-УФ - за допомогою УФ випромінювання. У структурах зі стиранням електричними сигналами імпульсом позитивної напруги на керуючому затворі знімають заряд електронів із ПЗ, відновлюючи низьковольтний рівень граничної напруги, що відповідає «1». У структурах з УФ опроміненням електрони розсмоктуються з ПЗ у підкладку в результаті посилення теплового руху за рахунок отриманої енергії від джерела УФ випромінювання. Режим зчитування здійснюють так само, як у ЕП на структурі МНОН. У режимі збереження забезпечують відсутність напруг на електродах ЕП для того, щоб виключити розсмоктування заряду в діелектричному середовищі. Теоретичними розрахунками доведена можливість збереження заряду сотні років. На практиці цей час обмежують для одних типів мікросхем декількома тисячами годин, для інших — декількома роками. Отже, мікросхеми РПЗП відносяться до групи енергонезалежних.