Contents

СТОРІНКИ |  |

колекторі мало відрізняеться від нульової, тому транзистор VT2 роздільника фаз замкнений.

Через те що струм емітера транзистора VT2 практично дорівнює нулю, буде замкнений і транзистор VT5. Струм, що проходить через резистор R2, входить у базу транзистора VT4, насичує його. Тому напруга, наявна на виході Y ЛЕ близька до напруги живлення і визначається виразом

,

де - напруга джерела живлення; - вихідний струм; - напруга на колекторі – емітері транзистора VT4; - спад напруги на діоді VDn.

Отже, за наявності на кожному із входів схеми напруги низького рівнянапруга на його виході матиме високий рівень. Припустимо тепер, що на усі входи ЛЕ подано високий рівень напруги. У цьому випадку усі переходи багатоемітерного VT1 замкнені. При цьому його колекторний перехід зміщується в прямому напрямку і по колу( резистор R1, колекторний перехід транзистора VT1 та послідовно з'єднаний емітерний перехід транзисторів VT2 і VT5 ) проходитиме струм. Цей струм наситить транзистори VT2 і VT5, і на виході у ЛЕ установиться низька напруга, яка чисельно дорівнює напрузі насичення транзистора VT5:

де - напруга на колекторі-емітері транзистора VT5; - вихідний опір транзистора VT5.

Через те що транзистор VT2 насичений, наявна на його колекторі напруга недостатня для прямого зміщення двох послідовно ввімкнених р-n- переходів (перехід емітеру VT4 і діоду VDn). Транзистор VT4 буде замкнений.

Отже, якщо нав входах схеми наявна висока напруга, на виході БЛЕ буде мати напруга низького рівня.

Для позитивної логіки наведений алгоритм роботи відповідає визначенню операції І-НЕ: