Contents

СТОРІНКИ |  |

10.1. Мікросхеми маскових ПЗП

10.2. Мікросхеми ППЗП

10.3. Мікросхеми РПЗП

Лабораторний практикум

Висновки

Тестування

10.3. Мікросхеми РПЗП

Характерною особливістю мікросхем РПЗП є їх здатність до багаторазового (до 10 тис.) перепрограмування самим користувачем. Ця властивість мікросхем забезпечена застосуванням ЕП із властивостями керованих перемичок, функції яких виконують транзистори зі структурою МНОН (метал Al — нітрид силіцію Si3N4 — оксид силіцію SiO2 — напівпровідник Si) і транзистори n-МОН із плаваючим затвором (ПЗ) з використанням механізму лавинної інжекції заряду ЛІЗМОН.

Мікросхеми РПЗП можна розділити на дві групи: РПЗП з записом і стиранням електричними сигналами (група ЕС) і РПЗП з записом електричними сигналами і стиранням ультрафіолетовим випромінюванням (група УФ).

Елемент пам'яті зі структурою МНОН є МДН-транзистор з індукованим каналом р- типа (рис. 10.6, а ) або n-типа, що має двошаровий діелектрик під затвором. Верхній шар формують з нітриду силіцію, нижній — з окислу силіцію і значно тонше за верхній.

Якщо до затвору відносно підкладки прикласти імпульс напруги позитивної полярності з амплітудою 30...40 В, то під дією сильного електричного поля між затвором і підкладкою електрони здобувають достатню енергію, щоб пройти тонкий діелектричний шар до межі розділу двох діелектриків. Верхній шар має значну товщину, тому електрони подолати його не можуть.

Накопичений на межі розділу двох діелектричних шарів заряд електронів знижує граничну напругу і зміщує передатну характеристику транзистора вліво (рис. 10.6,б ). Цей стан ЕП відповідає логічній «1». Занесення заряду під затвор називають режимом програмування.