Contents

СТОРІНКИ |  |

4.1. Класифікація елементів і їх порівняльна характеристика

4.2. Загальні характеристики елементів цифрових пристроїв

4.3. Базовий логічний елемент транзисторно - транзисторної логіки

4.3.1.Склад, схемотехніка і принцип дії базового логічного елемента (БЛЕ)

4.3.2. Різновиди схемотехніки елементів ТТЛ

4.3.3 Способи підвищення швидкодії

4.4. БЛЕ емітерно - зв'язаної логіки

4.4.1 Особливості схемотехніки

4.4.2. Принцип дії та функціональні можливості БЛЕ ЕЗЛ

4.4.3 Способи підвищення швидкодії

4.5 БЛЕ на МДН- транзисторах

4.5.1 Особливості використання МДН- транзистора

4.5.2 Схемотехніка БЛЕ КМОН - типу

4.6. БЛЕ інтегрально - інжекційної логіки

Лабораторний практикум

Висновки

Тестування

4.5.2 Схемотехніка БЛЕ КМОН - типу

Збільшення швидкодії ІС МДН потребує збільшення струмів перезарядження ємності навантаження. Однак це обмежується зростанням споживаної потужності і збільшенням нестабільності вихідних логічних рівнів. Подолати зазначене протиріччя можна або технологічно, шляхом створюючи транзистори з меншою вхідною ємністю, або схемотехнічним шляхом, застосовуючи схему перемикача на транзисторах з каналами різного типу (комплементарні транзистори). Ці перемикачі, з одного боку, дозволяють значно збільшити струми перезарядження ємності навантаження, а з другого максимально зменшити потужність, що розсіюється в елементі. Нагадаємо, що перемікач на комплементарних транзисторах у разі правильного виборі параметрів вхідних у нього елементів у статичному режимі роботи споживає незначну потужність від джерела живлення.

Споживана елементом потужність у статичному режимі тотожна потужності, що віддається ним у навантаження. Через те що навантаженням елемента є вхідні кола аналогічних елементів, що мають суто ємнісний характер, то потужність від джерела живлення витрачається тільки в динамічному режимі на перезарядження цієї ємності.

На рис. 4.15. наведено принципову електричну схему транзисторного перемікача, використовуваного в ІС КМОН. Її можна поділити на три частини: вхідний діодно-резисторний обмежувач напруги; власне перемикач на КМОН-транзисторах; вихідне діодне коло. Вхідний опір транзисторів у схемі перемикача досягає значень до 1012 Ом.

При товщині ізоляції між затвором і напівпровідником порядку 50...70 мкм його власна пробивна напруга становить 150... 200 В.