Contents

СТОРІНКИ |  |

4.1. Класифікація елементів і їх порівняльна характеристика

4.2. Загальні характеристики елементів цифрових пристроїв

4.3. Базовий логічний елемент транзисторно - транзисторної логіки

4.3.1.Склад, схемотехніка і принцип дії базового логічного елемента (БЛЕ)

4.3.2. Різновиди схемотехніки елементів ТТЛ

4.3.3 Способи підвищення швидкодії

4.4. БЛЕ емітерно - зв'язаної логіки

4.4.1 Особливості схемотехніки

4.4.2. Принцип дії та функціональні можливості БЛЕ ЕЗЛ

4.4.3 Способи підвищення швидкодії

4.5 БЛЕ на МДН- транзисторах

4.5.1 Особливості використання МДН- транзистора

4.5.2 Схемотехніка БЛЕ КМОН - типу

4.6. БЛЕ інтегрально - інжекційної логіки

Лабораторний практикум

Висновки

Тестування

4.5 БЛЕ на МДН- транзисторах

4.5.1 Особливості використання МДН- транзистора

Поширенню МДН- схемотехніки сприяли такі її особливості:

більш проста технологія виготовлення, що зумовлює підвищення відсотка виходу роботоздатних виробів;

менші геометричні розміри приладу і більш прості схемотехнічні рішення, що при однаковій з біполярноїю ІС площі кристала дає змогу розмістити на ньому складнішу за виконуваними функціями схему чи при однаковій функціональній складності одержати меншу площу кристала, що також підвищує вихід роботоздатних виробів.

Разом з тим при розробленні ІС МДН ураховують такі особливості цього класу приладів:

1) МДН - транзистор має гірші перемикальні властивості порівняно з біполярним транзистором. Це виявляеться в більшому вихідному опорі і, отже, у більшій залишковій напрузі у ввімкненому стані;

2) залишкова напруга на ввімкненому МДН - транзисторі залежить від керуючої напруги. Стосовно до логічних схем це означає сильну залежність напруги логічного «0» від напруги логічної «1». Послабити цю залежність можна зменшенням абсолютного струму стоку у ввімкненому стані, що потребує використання в перемикачі на МДН - транзисторі високого навантаження;

3) необхідність застосування власного навантаження з високим опором при фіксованій ємності збільшує постійну часу, що визначає тривалість фронту і спад вихідної напруги ЛЕ. Це призводить до спаду його швидкодії;

4) для забезпечення достатньої завадостійкості ЛЕ на МДН - транзисторах мають працювати при великих значеннях логічного перепаду. Це також сприяє спаду швидкодії елемента.