Contents

СТОРІНКИ |  |

Для організації накопичувача інформації в мікросхемах FLASH-пам'яті ЕП розміщені у вигляді прямокутної матриці. У кожному рядку КЗ транзисторів з'єднані й утворюють шини вибору слова, стоки в кожнім стовпці також з'єднані й утворюють шини вибору розряду (біта), а з'єднані джерела — шини, що підключаються до підсилювачів відтворення. Така схема з'єднань (NOR) накопичувача дуже критична до виконання стирання. Зазначимо, що під час стиранні з ПЗ може бути вилучено більше електронів ніж було забезпечено інжекцією при програмуванні. В результаті в ПЗ з'явиться позитивний заряд, транзистор стане провідним незалежно від напруги на КЗ і відбудеться шунтування всього стовпця ЕП в матриці. Повернути таку мікросхему в робочий стан уже не вдасться. Щоб виключити це небажане явище розроблено ряд заходів, що впливають на структуру й організацію роботи мікросхем FLASH-пам'яті. До їхнього числа відносяться:

- застосування спеціальних алгоритмів запису та стирання з контролем стану і завершенням процесу за результатами контролю;
- попереднє програмування в алгоритмі стирання за якого перед стиранням усі ЕП матриці встановлюються в стан 0;
- включення до складу мікросхеми регістра, який зберігає ідентифікатори фірми виготовлювача та типу мікросхеми, що дає змогу захистити елемент від помилок вибору алгоритму;
- вбудовування в мікросхеми кіл, що реалізують алгоритми стирання і запису.

Можна виділити три групи мікросхем FLASH-пам'яті: