Contents

СТОРІНКИ |  |

звертаннями до мікросхеми відключають напругу живлення, вона переходить у режим збереження. Керування переключеннями живлення доцільно здійснювати сигналом CS.

При експлуатації мікросхем РПЗП необхідно забезпечити необхідний порядок ввімкнення і вимкнення напруг живлення і програмування: при ввімкненні спочатку подають 5 В, потім –12 В і останньою напругу програмування, при вимкненні послідовність міняється на зворотну. Можна всі три напруги включати і виключати одночасно.

Перевагою мікросхем РПЗП групи ЕС є можливість перепрограмування без вилучення їх із пристрою, де вони працюють. Іншою позитивною властивістю мікросхем цієї групи є значне число циклів перепрограмування, що досягає для більшості мікросхем 10 тис.

У побудові і режимах роботимікросхем РПЗП-УФ багато спільного з мікросхемами групи ЕС. Виключення складає режим стирання, для реалізації якого необхідне джерело УФ випромінювання. Для стирання записаної інформації мікросхему вилучають з контактного пристрою, замикають усі її виводи і поміщають під джерело УФ випромінювання. Випромінювання проникає до напівпровідникового кристала РПЗП через прозоре вікно в кришці корпуса. Час стирання інформації становить 30...60 хв.

Недоліками мікросхем РПЗП-УФ є мале число циклів перепрограмування (до 100), що зумовлено швидким старінням діелектрика під впливом УФ випромінювання, необхідність вилучення з апаратури для стирання інформації, значний час стирання, потреба в спеціальному устаткуванні для стирання, висока чутливість до висвітлення та можливість випадкового стирання інформації. Разом з тим у мікросхем цієї групи є й істотні переваги: порівняно висока швидкодія, різноманітність варіантів виконання за інформаційною ємністю, невисока вартість і доступність.