Contents

СТОРІНКИ |  |

Мікросхеми на біполярних транзисторах програмують шляхом формування перемичок між рядками і стовпцями в тих точках матриці, куди заносять логічну «1». У тих точках матриці, де має бути логічний «0», перемичку не формують.

Матриця на рис. 10.1 містить 32×32 ЕП. Вона складається з 32 транзисторів за числом рядків, кожний з яких має 32 емітера зачислом стовпців (розрядних шин). Колектори всіх транзисторів з'єднані із шиною живлення. Бази транзисторів утворюють рядки матриці. Вони підключені до виходів дешифратора адреси рядків. Емітери або мають з'єднання з розрядною шиною («1»), або не мають («0»). Розрядні шини розділені на чотири групи по вісім шин у кожній. Кожна з чотирьох груп шин замикається на селектор, який під керуванням сигналів з виходів дешифратора стовпців DCY вибирає з восьми шин одну і комутує її на вихід.

На виходи селекторіввключені підсилювачі зчитування, з сигналами стробування 1і 2 . При 1 = 2=0 підсилювачі відкриті для зчитування інформації, за інших комбінацій цих сигналів — закриті і на їх виходах установлюються рівні «1».

Вибірку 4-розрядного слова здійснюють 8-розрядним кодом адреси, що надходить на адресний формівник F, необхідний для узгодження схем на кристалі із зовнішніми колами, і потім на входи дешифраторів рядків А7–А3 і стовпців А2–А0. На одному з виходів кожного дешифратора формуються високі рівні напруги, які вибирають з матриці 4-розрядне слово. На вихід мікросхеми обране слово надходить при сигналах керування, що дають змогу зчитувати 1= 2=0.

У мікросхемах ПЗПМ, виготовлених за МДН- технологією, елементами пам'ятіє МДН- транзистори з каналами n-типу, p-типа або комплементарні. Вони ввімкнені на перетинаннях рядків і стовпців матриці. Програмування